Les délais descendent sous la milliseconde en utilisant l'instruction micros au lieu de millis... (avec une limite aux alentour de 4 ou 10 microsecondes minimum)
Mais ce n'est pas comme ça qu'il faut faire lorsque l'on veut générer des créneaux. Il y a un module PWM physiquement dédié dans le microcontrôleur pour ça. On paramètre la fréquence, le ratio et il se débrouille tout seul ;) Noter que les fréquences disponibles varient en fonction du micro utilisé (un digispak n'aura pas la même plage qu'un nano, un uno ...) cf http://www.pobot.org/Modifier-la-frequence-d-un-PWM.html https://www.arduino.cc/en/Tutorial/PWM Thibault. ----- Mail original ----- De: [email protected] À: "electron libre" <[email protected]> Envoyé: Jeudi 19 Novembre 2015 15:34:45 Objet: [electron.libre] Re: [Bulk] Re: Déchargeur par impulsions je regarde/découvre un peu digispark et sa prog arduino, il semble que le delais soit paramétrable jusqu'a 1000 fois seconde, ca nous donnerait 500Hz max sauf si le programme accepte les décimales , pour la commutaton du Fet, j'ai lu: " varie entre 0.1 et 10 µs selon le type de transistor." donc de 500Hz pour les plus lents dans cet article il semble que la résonance par effet piézoélectrique change suivant la taille, la forme et la nature du minéral ou métal à faire vibrer (avant la découverte du quartz il fessait vibrer de l'acier :-) https://fr.wikipedia.org/wiki/Quartz_(%C3%A9lectronique) il manque plus qu'a ouvrir un nimh et regarder au microscope electronique la taille et la forme des cristaux un spectrometre de masse pour en déterminer la composition/nature et donc l'elasticité un mathématicien pour compiler tout ca et nous donner la fréquence magique :-)) ps: et mes pauvre nimh qui sont à 0v ;-/ Le 19/11/2015 10:24, [email protected] a écrit : Tout à fait. et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d un modèle dont la gate fonctionne à partir de ~3V. par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220 Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à 5%), le but n'est pas de décharger rapidement l’élément mais de faire vibrer les cristaux. Les mosfet "modernes" supportent facilement des 100 d'A en pointe. Thibault. ----- Mail original ----- De: "jean francois pion" <[email protected]> À: "electron libre" <[email protected]> Envoyé: Jeudi 19 Novembre 2015 09:55:37 Objet: [electron.libre] Re: Déchargeur par impulsions Le 19/11/2015 09:27, cricri a écrit : Bonjour J'ajouterais une petite résistance dans la source du FET de manière : à le protéger à mesurer la tension pour connaitre le courant qui passe pendant les " ON " pas très utile et en plus ça risque de perturber la saturation de mosfet en cas de fort courant 5v c'est déja pas beaucoup pour saturer le truc correctement si en plus tu bouffse qques volts en mettant une resistance dans la source .... coté drain avec une mesure différentielle oui, mais pas la source -- Liste de diffusion electron.libre archives de la listes sur : http://www.mail-archive.com/electron.libre%40ml.free.fr/ le site ftp de la liste (quand il fonctionne): ftp://electrolibriste:[email protected]:21 ou http://electrolibriste:[email protected]:12020/ftpelectronlibre/ ou en plus rapide http://electrolibriste.free.fr la liste de discussion hors sujet : mailto:[email protected]?subject=subscribe la carte mondiale des �lectrolibristes: http://mappemonde.net/bdd/electronlibre Pour se d�sinscrire : mailto:[email protected]?subject=unsubscribe
