Bonjour,
Moi aussi je suis preneur.
@+Alain B
////
(0)-(0)
..oooO...(_)...Oooo..
----- Original Message -----
From: Enrique Iglesias
To: electron.libre@ml.free.fr
Sent: Tuesday, December 29, 2015 3:06 PM
Subject: [electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions
Salut Thibault .. Moi je suis preneur!
Merci!
Enrique Iglesias
-----Mensaje original-----
De: electron.libre-ow...@ml.free.fr [mailto:electron.libre-ow...@ml.free.fr]
En nombre de Titi
Enviado el: domingo, 27 de diciembre de 2015 13:28
Para: electron.libre@ml.free.fr
Asunto: [electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions
Bonjour,
ayant les batteries de mon onduleur fatigué j'ai réalisé un proto du décharge
à impulsions adapté aux batteries aux plombs :
après une rapide recherche sur google j'ai vu qu'une charge ou décharge avec
des impulsions de 1khz ou 10khz étaient bénéfique.
En pratique j'ai fait ça vite fait donc je décharge par impulsions en cycle
de 10 secondes PWM variant de 0 à 12% Alterné une fois à 8khz et une fois à
1khz.
J'utilise un IRLB8737 monté sur un petit radiateur et une charge constituée
d'une ampoule 12V 55W
Le code arduino ci joint.
Je vous tiendrait au courant du résultat (pour le moment l'onduleur 1000W
coupe sur une charge de 100W) Si j'ai du temps et que vous le demandez je
ferais une page détaillé avec photo / schéma sur mon site
Thibault.
Le 20/11/2015 11:25, Titi a écrit :
> +1, un mosfet saturé se comporte comme une résistance, le seul
> problème du mosfet c'est la capacité de sa grille qui se comporte
> comme un condensateur qu'il faut charger et décharger.
> les 20-40mA nous limitent plutôt en fréquence.
>
> Exemple avec des IRLB8743 en TO220 que j'ai utilisé pour des
> variateurs brushed
> http://www.irf.com/part/30V-Single-N-Channel-HEXFET-Power-MOSFET-in-a-
> TO-220AB-package/_/A~IRLB8743
>
> La doc dit 100A à partir de 3.5V gate et 2000 pico Farads maxi.
>
> Ça nous fait un temps de saturation d’après la loi i = C.du/dt
> dt = C.du/i avec dt en secondes, C en farad, du en Volt et i en A
> dt = 2e-9 * (3.5/0.02) = 3.5e-7s soit 0.35micro scondes
>
> si on veut un temps de saturation de max 1/10 du temps de conduction,
> le temps de commande mini monté + descente sera
> 0.35*2*10 = 7micro secondes
>
> Pour du hachage à 10% ça fait une fréquence de 14Khz
>
> En pratique on pourra certainement monter à 20khz, mais pour aller
> plus vite il faut trouver un mosfet avec une capacité de grille plus
> faible (ou mettre une circuit "driver" mais ça complique le schéma)
>
> Thibault.
>
> Le 20/11/2015 08:11, Franck TISON a écrit :
>> Bonjour,
>>
>> Non, pas de problème pour le microcontrôleur : les mosfet sont des
>> transistors commandés en tension. Par contre, il faut que le
>> potentiel soit suffisant pour obtenir sa commutation sans perte (ou
>> presque). D’où l'intérêt d'utiliser des mosfet logiques qui sont
>> passants à environ 4.5V
>>
>> Franck
>>
>>
>> Le 20/11/2015 07:09, Christophe Lauverjat a écrit :
>>> Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais
>>> les 20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne
>>> sont-ils pas un peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru
>>> par un fort courant ?
>>>
>>> Christophe
>>>
>>> Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :
>>>> Tout à fait.
>>>> et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d
>>>> un modèle dont la gate fonctionne à partir de ~3V.
>>>> par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220
>>>>
>>>> Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à
>>>> 5%), le but n'est pas de décharger rapidement l’élément mais de
>>>> faire vibrer les cristaux.
>>>> Les mosfet "modernes" supportent facilement des 100 d'A en pointe.
>>>>
>>>> Thibault.
>>>
>>
>
__________ Informaci n de ESET NOD32 Antivirus, versi n de la base de firmas
de virus 12770 (20151223) __________
ESET NOD32 Antivirus ha comprobado este mensaje.
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