[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-12-27 Par sujet Titi

Bonjour,
ayant les batteries de mon onduleur fatigué j'ai réalisé un proto du 
décharge à impulsions adapté aux batteries aux plombs :
après une rapide recherche sur google j'ai vu qu'une charge ou décharge 
avec des impulsions de 1khz ou 10khz étaient bénéfique.


En pratique j'ai fait ça vite fait donc je décharge par impulsions en 
cycle de 10 secondes PWM variant de 0 à 12%

Alterné une fois à 8khz et une fois à 1khz.

J'utilise un IRLB8737 monté sur un petit radiateur et une charge 
constituée d'une ampoule 12V 55W


Le code arduino ci joint.

Je vous tiendrait au courant du résultat (pour le moment l'onduleur 
1000W coupe sur une charge de 100W)
Si j'ai du temps et que vous le demandez je ferais une page détaillé 
avec photo / schéma sur mon site


Thibault.


Le 20/11/2015 11:25, Titi a écrit :
+1, un mosfet saturé se comporte comme une résistance, le seul 
problème du mosfet c'est la capacité de sa grille qui se comporte 
comme un condensateur qu'il faut charger et décharger.

les 20-40mA nous limitent plutôt en fréquence.

Exemple avec des IRLB8743 en TO220 que j'ai utilisé pour des 
variateurs brushed
http://www.irf.com/part/30V-Single-N-Channel-HEXFET-Power-MOSFET-in-a-TO-220AB-package/_/A~IRLB8743 


La doc dit 100A à partir de 3.5V gate et 2000 pico Farads maxi.

Ça nous fait un temps de saturation d’après la loi i = C.du/dt
dt = C.du/iavec dt en secondes, C en farad, du en Volt et i en A
dt = 2e-9 * (3.5/0.02) = 3.5e-7s soit 0.35micro scondes

si on veut un temps de saturation de max 1/10 du temps de conduction, 
le temps de commande mini monté + descente sera

0.35*2*10 = 7micro secondes

Pour du hachage à 10% ça fait une fréquence de 14Khz

En pratique on pourra certainement monter à 20khz, mais pour aller 
plus vite il faut trouver un mosfet avec une capacité de grille plus 
faible

(ou mettre une circuit "driver" mais ça complique le schéma)

Thibault.

Le 20/11/2015 08:11, Franck TISON a écrit :

Bonjour,

Non, pas de problème pour le microcontrôleur : les mosfet sont des 
transistors commandés en tension. Par contre, il faut que le 
potentiel soit suffisant pour obtenir sa commutation sans perte (ou 
presque). D’où l'intérêt d'utiliser des mosfet logiques qui sont 
passants à environ 4.5V


Franck


Le 20/11/2015 07:09, Christophe Lauverjat a écrit :
Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais 
les 20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne 
sont-ils pas un peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru 
par un fort courant ?


Christophe

Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :

Tout à fait.
et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d 
un modèle dont la gate fonctionne à partir de ~3V.

par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220

Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à 
5%), le but n'est pas de décharger rapidement l’élément mais de 
faire vibrer les cristaux.

Les mosfet "modernes" supportent facilement des 100 d'A en pointe.

Thibault.








/*dechargeur par impulsions de 1 à 10% et
1khz à 10Khz pour les batteries au plomb
en pratique 8khz et 1khz car diviseurs tout pret
*/
#define PWM_pin 1  //pin P1 du tiny85

void setup() {
  // initialize the digital pin as an output.
  pinMode(PWM_pin, OUTPUT); 
TCCR0A = 2<

[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-20 Par sujet Titi
+1, un mosfet saturé se comporte comme une résistance, le seul problème 
du mosfet c'est la capacité de sa grille qui se comporte comme un 
condensateur qu'il faut charger et décharger.

les 20-40mA nous limitent plutôt en fréquence.

Exemple avec des IRLB8743 en TO220 que j'ai utilisé pour des variateurs 
brushed

http://www.irf.com/part/30V-Single-N-Channel-HEXFET-Power-MOSFET-in-a-TO-220AB-package/_/A~IRLB8743
La doc dit 100A à partir de 3.5V gate et 2000 pico Farads maxi.

Ça nous fait un temps de saturation d’après la loi i = C.du/dt
dt = C.du/iavec dt en secondes, C en farad, du en Volt et i en A
dt = 2e-9 * (3.5/0.02) = 3.5e-7s soit 0.35micro scondes

si on veut un temps de saturation de max 1/10 du temps de conduction, le 
temps de commande mini monté + descente sera

0.35*2*10 = 7micro secondes

Pour du hachage à 10% ça fait une fréquence de 14Khz

En pratique on pourra certainement monter à 20khz, mais pour aller plus 
vite il faut trouver un mosfet avec une capacité de grille plus faible

(ou mettre une circuit "driver" mais ça complique le schéma)

Thibault.

Le 20/11/2015 08:11, Franck TISON a écrit :

Bonjour,

Non, pas de problème pour le microcontrôleur : les mosfet sont des 
transistors commandés en tension. Par contre, il faut que le potentiel 
soit suffisant pour obtenir sa commutation sans perte (ou presque). 
D’où l'intérêt d'utiliser des mosfet logiques qui sont passants à 
environ 4.5V


Franck


Le 20/11/2015 07:09, Christophe Lauverjat a écrit :
Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais 
les 20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne sont-ils 
pas un peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru par un 
fort courant ?


Christophe

Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :

Tout à fait.
et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d 
un modèle dont la gate fonctionne à partir de ~3V.

par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220

Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à 
5%), le but n'est pas de décharger rapidement l’élément mais de 
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Thibault.






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[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-19 Par sujet Silvain PINOT
 https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington > Message du 20/11/15 08:51
> De : "Silvain PINOT" 
> A : electron.libre@ml.free.fr
> Copie à : 
> Objet : [electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions
> 
> > > > > > > Message du 20/11/15 07:09
> De : "Christophe Lauverjat" 
> A : electron.libre@ml.free.fr
> Copie à : 
> Objet : [electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions
> 
> Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais les 
> 20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne sont-ils pas un 
> peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru par un fort courant ?
> 
> Christophe C'est une histoire de "gain".De mon temps, on faisait des montages 
> je-ne-sais-plus-quoi ("Darlington" ? ) pour se débarrasser de ces soucis-là. 
> Silvain

[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-19 Par sujet Silvain PINOT
 > Message du 20/11/15 07:09
> De : "Christophe Lauverjat" 
> A : electron.libre@ml.free.fr
> Copie à : 
> Objet : [electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions
> 
> Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais les 
> 20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne sont-ils pas un 
> peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru par un fort courant ?
> 
> Christophe C'est une histoire de "gain".De mon temps, on faisait des montages 
> je-ne-sais-plus-quoi ("Darlington" ? ) pour se débarrasser de ces soucis-là. 
> Silvain

[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-19 Par sujet Franck TISON

Bonjour,

Non, pas de problème pour le microcontrôleur : les mosfet sont des 
transistors commandés en tension. Par contre, il faut que le potentiel 
soit suffisant pour obtenir sa commutation sans perte (ou presque). D’où 
l'intérêt d'utiliser des mosfet logiques qui sont passants à environ 4.5V


Franck


Le 20/11/2015 07:09, Christophe Lauverjat a écrit :
Je ne suis pas familier du calcul et du choix des transistors mais les 
20 ou 40 mA que peut délivrer une sortie d'un Arduino ne sont-ils pas 
un peu limite pour piloter ainsi un transistor parcouru par un fort 
courant ?


Christophe

Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :

Tout à fait.
et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d un 
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par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220

Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à 
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[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-19 Par sujet Christophe Lauverjat
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Christophe

Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :

Tout à fait.
et c'est pour ça que sur le schéma j'ai mis mosfet "logique" c-a-d un modèle 
dont la gate fonctionne à partir de ~3V.
par exemple irlu7843 mais il existe des modèle en boitier TO220

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[electron.libre] Re: Déchargeur par impuls ions

2015-11-19 Par sujet cricri

Le 19/11/2015 10:24, crazyt...@free.fr a écrit :

Je pense vraiment à de faibles ratio de conductivité du mosfet (1 à 5%), le but 
n'est pas de décharger rapidement l’élément mais de faire vibrer les cristaux.

J'étais encore à côté de la plaque ... j'étais toujours sur le sujet : " mesure de 
RI et déchargeur  "

Les dégâts de l'age ou le manque de pinard ???


Amicalement

Xtian

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