[FISIKA] tanya tempat pengujian Karakteristik sensor Liquid gate FET

2011-05-17 Terurut Topik eko h
Aslm. 
kepada rekan2 MFI mohon informasinya, 

Saat ini saya sedang membuat sensor dengan prinsip kerja Liquid gate FET. Saat 
ini saya kesulitan mencari tempat untuk melakukan pengujian awal dari sensor 
ini dan mengukur transfer karakteristik dari sensornya.

Mohon informasinya bila ada rekan-rekan yang memiliki pengalaman/mengetahui 
tempat pengujiannya.

terima kasih

salam


eko handoyo





===
**  Arsip  : http://members.tripod.com/~fisika/ 
**  Ingin Berhenti : silahkan mengirim email kosong ke : 
 fisika_indonesia-unsubscr...@yahoogroups.com 
===
Yahoo! Groups Links

* To visit your group on the web, go to:
http://groups.yahoo.com/group/fisika_indonesia/

* Your email settings:
Individual Email | Traditional

* To change settings online go to:
http://groups.yahoo.com/group/fisika_indonesia/join
(Yahoo! ID required)

* To change settings via email:
fisika_indonesia-dig...@yahoogroups.com 
fisika_indonesia-fullfeatu...@yahoogroups.com

* To unsubscribe from this group, send an email to:
fisika_indonesia-unsubscr...@yahoogroups.com

* Your use of Yahoo! Groups is subject to:
http://docs.yahoo.com/info/terms/



Re: [FISIKA] tanya tempat pengujian Karakteristik sensor Liquid gate FET

2011-05-17 Terurut Topik Satria Zulkarnaen
Wa`alaikum salam wr wb

Mas Eko,
Yang dibutuhkan untuk mengukur karakteristik liquid gate FET, sama halnya 
dengan 
FET lainnya, adalah: probe station, semiconductor parameter analyzer (Agilent, 
Keithley, dll, atau voltage sources dan nano/microamperemeter). Yang terpenting 
adalah bisa melakukan pengukuran tiga terminal. Bisa juga dengan merangkai dua 
voltage sources dengan common ground. 


Bisa saja menghubungi lab Fismatel, Fisika ITB. Di sana ada beberapa peralatan 
yang bisa digunakan untuk pengukuran seperti itu. Btw, Mas Eko sendiri ada di 
mana? Kalau boleh tahu, konfigurasi FET-nya seperti apa?

Khusus untuk liquid gate FET, harap diperhatikan juga gate current-nya. Sangat 
disarankan sekali untuk juga menggunakan counter electrode, sehingga bacaan 
applied gate voltage nya lebih reliable. Tanpa counter electrode, sulit untuk 
menjustifikasi apakah electric double layer terbentuk atau tidak pada interface 
semiconductor/liquid gate nya. Dan lakukan slow scan dalam pengukurannya. 
Karena 
ion pada liquid gate juga memiliki massa yang akan mempengaruhi respons 
terhadap 
applied voltage. 


Berhubung lab saya adalah salahsatu yang merintis liquid gate FET untuk pertama 
kali di dunia, peralatan di sini sebetulnya lengkap. Tapi, menurut saya, 
sebaiknya membangun peralatan untuk pengukuran tersebut di Indonesia jauh lebih 
baik. 


Silakan kalau ada pertanyaan lagi. Kalau membutuhkan referensi mengenai hal 
ini, 
silakan japri, atau lewat milis juga boleh.

Wassalam,

Izul
Satria Zulkarnaen Bisri
PhD researcher (IGPAS fellow)
Department of Physics, Graduate School of Science 
Tohoku University, Sendai, JAPAN
also at (primary contact address):
Takenobu-lab, Graduate School of Advanced Science and Engineering,
Waseda University
3-4-1, Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, JAPAN
Tel.: +81-3-5286-2981
URL: http://satria-zulkarnaen.com/






From: eko h ehand...@gmail.com
To: fisika_indonesia@yahoogroups.com
Sent: Wed, May 18, 2011 2:12:39 AM
Subject: [FISIKA] tanya tempat pengujian Karakteristik sensor Liquid gate FET

  
Aslm. 
kepada rekan2 MFI mohon informasinya, 

Saat ini saya sedang membuat sensor dengan prinsip kerja Liquid gate FET. Saat 
ini saya kesulitan mencari tempat untuk melakukan pengujian awal dari sensor 
ini 
dan mengukur transfer karakteristik dari sensornya.

Mohon informasinya bila ada rekan-rekan yang memiliki pengalaman/mengetahui 
tempat pengujiannya.

terima kasih

salam

eko handoyo