Teknologi Nano pada Prosesor Intel baru-baru ini memproduksi chip static random access memory (SRAM) 70 megabit dengan menggunakan proses teknologi 65 nanometer (nm) yang paling canggih di dunia. Transistor-transistor yang terdapat dalam teknologi 65 nm (satu nanometer sama dengan satu miliar per meter) yang baru memiliki gerbang-gerbang berukuran 35 nm, kira-kira tiga puluh persen lebih kecil dari lebar gerbang pada teknologi 90 nm sebelumnya. Sebagai perbandingan, kira-kira 100 buah gerbang dapat dimasukkan ke diameter satu sel darah merah manusia.
roses teknologi yang baru ini meningkatkan jumlah transistor- transistor kecil yang dapat dimuat ke dalam sebuah chip, memberi pijakan untuk menghadirkan prosesor-prosesor multi-core masa depan, dan untuk merancang fitur-fitur inovatif ke dalam produk-produk masa depan, termasuk kemampuan virtualisasi dan keamanan. Proses teknologi Intel 65 nm memiliki fitur-fitur kepadatan, kinerja dan penurunan daya terdepan dalam industri, yang memungkinkan hadirnya chip masa depan dengan peningkatan kemampuan dan kinerja. Teknologi 65 nm dari Intel dijadwalkan hadir pada tahun 2005. "Intel terus menjawab berbagai tantangan yang kian berkembang melalui inovasi menggunakan materi, proses dan struktur perangkat yang baru," kata Country Manager Intel Indonesia Corporation, Budi Wahyu Jati, di Jakarta. November tahun lalu, Intel mengumumkan penggunaan proses 65nm untuk membuat SRAM 4-megabit. Sejak itu, Intel telah melakukan fabrikasi dari SRAM 70-megabit yang berfungsi penuh menggunakan proses ini, dengan bidang yang sangat kecil seluas 110m2. Sel-sel SRAM yang kecil memungkinkan bagi integrasi cache lebih besar dalam prosesor, yang meningkatkan kinerja. Setiap sel memori SRAM memiliki enam transistor yang dikemas dalam bidang seluas 0.57 m. Kira-kira 10 juta dari transistor-transistor tersebut dapat ditempatkan ke dalam satu milimeter pesegi, setara dengan ukuran titik yang dihasilkan oleh pulpen. Seiring dengan kian mengecilnya ukuran transistor, peningkatan daya dan panas menjadi masalah yang kian berkembang. Implementasi fitur- fitur, teknik dan struktur terbaru adalah penting untuk melanjutkan kemajuaan yang telah dicapai ini. Intel telah menjawab tantangan-tantangan ini dengan mengintegrasikan fitur-fitur hemat daya ke dalam proses teknologi 65nm. Fitur-fitur ini berperan penting dalam menghadirkan komputasi dan produk-produk komunikasi yang memiliki efisiensi daya di masa depan. Teknologi strained silikon dari Intel, pertama kali diimplementasikan pada proses teknologi Intel 90nm, yang dikembangkan lagi pada teknologi 65nm. Generasi kedua dari teknologi strained silikon Intel meningkatkan kinerja transistor antara 10 sampai 15 persen tanpa memperbesar kebocoran. Singkatnya, transistor-transistor ini dapat memperkecil kebocoran sebanyak empat kali pada kinerja konstan dibandingkan dengan transistor-transistor 90nm. Akibatnya, transistor-transistor pada proses teknologi Intel 65nm memiliki peningkatan kinerja tanpa peningkatan kebocoran yang signifikan (akibat kebocoran listrik lebih besar berarti akan makin tinggi panas yang dihasilkan). Transistor-transistor Intel 65nm memiliki lebar gerbang lebih kecil sebesar 35nm dan ketebalan gerbang oksida sebesar 1,2nm, yang kombinasinya menghasilkan peningkatan kinerja dan penurunan kapasitas gerbang. Penurunan kapasitas gerbang pada akhirnya akan menurunkan daya aktif chip. Intel juga telah mengimplementasikan sleep transistor dalam SRAM 65nm. Transistor-transistor tersebut akan memadamkan aliran yang ada ke blok-blok dari SRAM ketika mereka tidak sedang digunakan, yang secara signifikan membatasi sumber konsumsi daya pada chip. Fitur ini bermanfaat khususnya bagi perangkat-perangkat yang menggunakan tenaga baterai, seperti laptop. (N-5) ============================================================== nah bagaimana adik2 yang study IT di India? Mohon komentar dan urun rembug Salam RM D Hadinoto ------------------------ Yahoo! Groups Sponsor --------------------~--> $9.95 domain names from Yahoo!. Register anything. http://us.click.yahoo.com/J8kdrA/y20IAA/yQLSAA/BRUplB/TM --------------------------------------------------------------------~-> *************************************************************************** Berdikusi dg Santun & Elegan, dg Semangat Persahabatan. Menuju Indonesia yg Lebih Baik, in Commonality & Shared Destiny. www.ppiindia.shyper.com *************************************************************************** __________________________________________________________________________ Mohon Perhatian: 1. Harap tdk. memposting/reply yg menyinggung SARA (kecuali sbg otokritik) 2. Pesan yg akan direply harap dihapus, kecuali yg akan dikomentari. 3. Lihat arsip sebelumnya, www.ppi-india.da.ru; 4. Posting: [EMAIL PROTECTED] 5. Satu email perhari: [EMAIL PROTECTED] 6. No-email/web only: [EMAIL PROTECTED] 7. kembali menerima email: [EMAIL PROTECTED] Yahoo! Groups Links <*> To visit your group on the web, go to: http://groups.yahoo.com/group/ppiindia/ <*> To unsubscribe from this group, send an email to: [EMAIL PROTECTED] <*> Your use of Yahoo! Groups is subject to: http://docs.yahoo.com/info/terms/
